Görsel mevcut değil
MMBT5551_NL
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS 160V 350MW NPN SMD SOT-23
MMBT5551_NL Hakkında
MMBT5551_NL, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 350mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. 600mA maksimum collector akımı, 80 minimum DC akım kazancı (10mA, 5V koşullarında) ve 100MHz transition frequency özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, düşük güç RF devrelerde ve genel amaçlı dijital/analog devreler içinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V