Görsel mevcut değil
MMBT5551-F2-0000HF
- Üretici
- YANGJIE
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANS 160V 0.6A SOT-23-3L
MMBT5551-F2-0000HF Hakkında
MMBT5551-F2-0000HF, YANGJIE tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistördür. 160V (Vce) collector-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile ortaçılı güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SOT-23-3L SMD paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. 300mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile genel amaçlı ve düşük güç amplifikasyon, anahtar ve oscillator devrelerinde tercih edilir. 100'ün üzerinde DC current gain (hFE) ve 200mV'lik saturation voltajı ile verimli anahatlama sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V