Görsel mevcut değil
MMBT5551
- Üretici
- DC Corp. ( DC Components )
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-23 160V 600MA
MMBT5551 Hakkında
MMBT5551, DComponents tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 160V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 600mA maksimum kolektor akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300MHz transition frequency ile anahtarlama ve düşük frekanslı amplifikasyon devrelerinde çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 80 değerine sahiptir. Maksimum 250mW güç tüketimi ile beslemesi kısıtlı tasarımlarda tercih edilir. -55°C ~ +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı sunmaktadır. Darbe, anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V