Görsel mevcut değil
MMBT5551-AU_R1_000A2
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MMBT5551-AU_R1_000A2 Hakkında
MMBT5551-AU_R1_000A2, PANJIT tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 160V Vce(br) dielektrik dayanımı ve 600mA maksimum collector akımı kapasitesiyle karakterizedir. 250mW güç dissipasyonu, 80 minimum DC current gain (10mA, 5V'de) ve 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, anahtar devreler ve genel amaçlı yüksek gerilim amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (50nA ICBO) ve 200mV saturation voltajı ile verimli devre tasarımı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V