Görsel mevcut değil
MMBT5551-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3
MMBT5551-7 Hakkında
MMBT5551-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 600mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. 300MHz transition frequency'sine sahip olan transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 200mV saturasyon gerilimi ile düşük güç tüketimli devreler tasarlanabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. 300mW maksimum güç sınırlaması nedeniyle sinyal işleme, ses amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. Ürün halen üretilmektedir ve sektörde yaygın olarak stoklanmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Market
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V