Görsel mevcut değil
JANS2N3501UB
JANS2N3501UB Hakkında
JANS2N3501UB, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD, No Lead paketinde sunulan bu transistör, 300mA maksimum collector akımı ve 150V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -65°C ile 200°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Minimum 100 hFE DC akım kazancı (150mA, 10V'ta) ile sinyal işleme uygulamalarında yer alabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V