Görsel mevcut değil
JANTXV2N3501UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
JANTXV2N3501UB/TR Hakkında
JANTXV2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal bipolar junction transistörüdür (BJT). Surface mount SMD pakette sunulan bu bileşen, 300mA maksimum kollektör akımı ve 150V kollektör-emitter breakdown gerilimi ile karakterize edilir. DC akım kazancı (hFE) 150mA/10V koşullarında minimum 100'dür. -65°C ile +200°C çalışma sıcaklık aralığında ve 500mW maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. Düşük seviye sinyal kuvvetlendirme, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon devreleri için kullanılır. JANTXV sınıflandırması, askeri ve endüstriyel uygulamalar için yüksek güvenilirlik ve radyasyon toleransı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V