Görsel mevcut değil
2N3501UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 150V 0.3A
2N3501UB Hakkında
2N3501UB, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 150V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 300mA maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan bu transistör, 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile voltage amplification ve switching uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 3-SMD No Lead paketinde sunulan komponent, -65°C ile 200°C arasında işletilme sıcaklığı aralığında çalışır. Audio amplifiers, kontrol devreleri ve genel amaçlı RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V