Görsel mevcut değil
JANTXV2N3501UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 150V 0.3A
JANTXV2N3501UB Hakkında
JANTXV2N3501UB, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, askeri ve uzay uygulamalarında güvenilirlik sağlamak üzere tasarlanmıştır. 150V maksimum Vce derecelendirilmesi ve 300mA maksimum kollektör akımı ile, düşük-orta güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount UB paketi içinde sunulan bu transistör, -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. 500mW maksimum güç disipasyonu, 400mV Vce satürasyon voltajı ve 100 minimum DC current gain özellikleri ile kontrol devrelerinde, darbe üretim devrelerinde ve RF uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V