Görsel mevcut değil
2N3501E3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3501E3 Hakkında
2N3501E3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi silikon güç transistörüdür. TO-39 metal kasa içinde sunulan bu bileşen, 150V kollektor-emitter kırılma gerilimi ve 300mA maksimum kollektor akımı ile çalışır. 500mW güç sınırlaması ile tasarlanmış olup, -65°C ile +200°C arasında sıcaklık aralığında çalışabilmektedir. 100 (minimum) DC akım kazancı ve 400mV saturasyon gerilimi özellikleri sayesinde anahtarlama ve güçlendirme uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimleme yapılabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V