Görsel mevcut değil
NTE3323
- Üretici
- NTE Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT-1200V 25AMP
NTE3323 Hakkında
NTE3323, 1200V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 25A DC kollektör akımı ve 50A maksimum pulsed akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 200W maksimum güç dağıtma kapasitesine ve 4V maksimum Vce(on) voltajına sahiptir. 400ns turn-on ve 800ns turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. 150°C (Tj) maksimum işletme sıcaklığında güvenilir çalışır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve elektrik şebekeleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-3P
Td (on/off) @ 25°C
400ns/800ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V