Görsel mevcut değil
NTE3300
- Üretici
- NTE Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE3300 Hakkında
NTE3300, N-Channel Enhancement Mode IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 400V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 10A sürekli collector akımı kapasitesi ile güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, enerji kaynakları ve kaynak makinaları gibi endüstriyel uygulamalarda yer alır. 30W maksimum güç derecelendirmesi, 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 150ns/450ns turn-on/turn-off gecikme süreleri ile cihazın dinamik performansını belirler. Standard giriş tipi özellikleri ile entegrasyonu basit olan bu transistör, 20V gate voltajında 130A pulse collector akımı sağlayabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
130 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
30 W
Supplier Device Package
TO-220 Full Pack
Td (on/off) @ 25°C
150ns/450ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
8V @ 20V, 130A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V