Görsel mevcut değil
NTE3310
- Üretici
- NTE Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE3310 Hakkında
NTE3310, N-channel enhancement tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 415A maksimum collector akımı ve 600V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 100W maksimum güç kapasitesine sahip olan bu bileşen, şalter modülasyonu, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan NTE3310, 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklıdır. 400ns açılış ve 500ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
415 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
TO-3P
Td (on/off) @ 25°C
400ns/500ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V