Görsel mevcut değil
NTE3301
- Üretici
- NTE Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE3301 Hakkında
NTE3301, N-channel enhancement mode IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 15A sürekli collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 40W maksimum güç yönetebilir. 150ns açılış ve 450ns kapanış süreleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Operating sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, inverterler ve anahtarlamalı beslenme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Düşük on-state voltajı (8V @ 20V, 170A) ile verimli enerji yönetimi sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
170 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
TO-220 Full Pack
Td (on/off) @ 25°C
150ns/450ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
8V @ 20V, 170A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V