Görsel mevcut değil
MJD44H11TM-ON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJD44H11TM-ON Hakkında
MJD44H11TM-ON, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir power bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 8A collector akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, 50MHz transition frequency'si ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilen MJD44H11TM-ON, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Minimum 60 @ 2A, 1V DC current gain değeri ile stabil performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
TO-252-3 (DPAK)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V