Görsel mevcut değil
NJVMJD44H11D3T4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- MJD44H11 - 8 A, 80 V NPN BIPOLAR
NJVMJD44H11D3T4G Hakkında
MJD44H11 yüksek akım kapasiteli NPN bipolar junction transistördür. 8 A collector akımı ve 80 V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 20 W maksimum güç dissipation kapasitesi ile motor kontrolü, güç anahtarlama, amplifikasyon ve inverter devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 85 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine destek verir. 1V saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
85MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V