Görsel mevcut değil
MJD44H11T4G
MJD44H11T4G Hakkında
MJD44H11T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar junction transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W maksimum güç dağıtım kapasitesi, 85MHz geçiş frekansı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile motor sürücüler, güç anahtarlaması, amplifikatör ve genel amaçlı değiştirme uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
85MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V