Görsel mevcut değil
MJD44H11AJ
MJD44H11AJ Hakkında
MJD44H11AJ, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 160MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 1.75W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. DC current gain (hFE) minimum 60'tır (2A, 1V koşullarında). Vce saturation voltajı 1V'dur (400mA base akımı, 8A collector akımı). Motor kontrol, güç anahtarlaması, amplifikatör ve switching regülatör uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
160MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V