Görsel mevcut değil
MJD44H11T5G
MJD44H11T5G Hakkında
MJD44H11T5G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 80V kolektör-emitter gerilimi ve 8A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 85MHz transition frequency ve 1.75W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Minimum 40 hFE DC akım kazancı ile güçlü akım kütleştirmesi sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sunan bu transistör, güç amplifikasyon, anahtar uygulamaları ve motor kontrol devrelerinde kullanılmaya uygundur. Hızlı anahtarlama özelliği sayesinde PWM uygulamalarında da tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
85MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V