Görsel mevcut değil
FZ825R33HE4DBPSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES
FZ825R33HE4DBPSA1 Hakkında
FZ825R33HE4DBPSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güçlü IGBT transistör modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu cihaz, Single Switch konfigürasyonunda 825 A kollektör akımı ve 3300 V kırılma gerilimi ile çalışmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 2.65V olup, maksimum 2.4 MW güç kapasitesine sahiptir. Chassis mount tipi paketleme ile sağlanan modül, -40°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Endüstriyel güç dönüştürücü uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve enerji iletim sistemlerinde kullanılır. Standard input tipi ve 93.5 nF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max)
825 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
93.5 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
2.4 MW
Supplier Device Package
AG-IHVB130-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.65V @ 15V, 825A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3300 V