Görsel mevcut değil
FZ750R65KE3C1NOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
FZ750R65KE3C1NOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FZ750R65KE3C1NOSA1, yüksek akım kapasitesi ve voltaj dayanımına sahip bir IGBT transistör modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 750A maksimum kolektör akımı ve 6500V kırılma voltajı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Şasi montajlı konfigürasyonuyla güç dönüştürme, motor kontrolü ve elektrik konversiyon sistemlerinde yer alır. -50°C ile 125°C arasında işletilmek üzere tasarlanmış olup, standart giriş yapısı ve düşük açık voltajı (3.4V @ 750A) sayesinde enerji kaybını minimize eder. A-IHV190-6 paket standartında sunulan modül, 3MW'ye kadar güç uygulamalarında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max)
750 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
205 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-50°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
3000000 W
Supplier Device Package
A-IHV190-6
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 750A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
6500 V