Görsel mevcut değil
FZ500R65KE3NOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MODULE 6500V 1000A
FZ500R65KE3NOSA1 Hakkında
FZ500R65KE3NOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 6500V 1000A kapasiteli IGBT transistör modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu modül, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Vce(on) değeri 3.4V (15V gate geriliminde, 500A akımda) olarak belirlenmiştir. Maksimum Collector-Emitter arası kırılma gerilimi 6500V'dur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-50°C ~ 125°C) ile endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans sağlar. Chassis mount tipi kasa ile doğrudan montaj imkanı sunan modül, güç kaynakları, inverterler ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
1000 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
135 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-50°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
2000000 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 500A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
6500 V