Görsel mevcut değil
FZ2000R33HE4BOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
FZ2000R33HE4BOSA1 Hakkında
FZ2000R33HE4BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek akım IGBT modülüdür. Single Switch konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 2000 A maksimum collector akımı ve 3300 V breakdown voltajı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Trench Field Stop IGBT teknolojisi ile üretilmiş olan modül, endüstriyel konvertörler, kaynak makinaları, UPS sistemleri ve yenilenebilir enerji sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığına sahip olan komponent, Chassis Mount tipi kasa ile sunulmaktadır. 2.2V tipik Vce(on) değeri ve 280 nF input kapasitansı ile verimli anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max)
2000 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
280 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
4.2 mW
Supplier Device Package
AG-IHVB190-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 2kA (Typ)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3300 V