Görsel mevcut değil
FZ1000R33HE3C1NOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
FZ1000R33HE3C1NOSA1 Hakkında
FZ1000R33HE3C1NOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT modülü olup, 3300V Collector-Emitter breakdown voltajı ile çalışır. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 1kA collector akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 1kA akımda 3.1V olarak belirtilmiştir. Chassis mount tipi metal paket ile sağlanan modül, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1600kW güç kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrolü, invertör ve kaynak cihazları gibi yüksek güç elektronik sistemlerinde tercih edilir. Standard input konfigürasyonu ve 190nF giriş kapasitansı ile hızlı switching karakteristiği sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max)
1 kA
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
190 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
1600000 W
Supplier Device Package
AG-IHVB130-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 1kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3300 V