Görsel mevcut değil
FS35R12W1T4BOMA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 65A 225W
FS35R12W1T4BOMA1 Hakkında
FS35R12W1T4BOMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış IGBT transistör modülüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 65A collector akımı ile güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Trench Field Stop IGBT teknolojisine sahip olup, 2.25V (15V gate gerilimi, 35A collector akımında) düşük on-state voltajı ile enerji verimliliği sağlar. Maksimum 225W güç yönetimi kapasitesi ve entegre NTC thermistor ile sıcaklık kontrolü özelliğine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Endüstriyel sürücü uygulamaları, yenilenebilir enerji sistemleri ve elektrik motor kontrol devreleri başta olmak üzere yüksek gerilim güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max)
65 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
225 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.25V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V