2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
FP40R12KE3GBOSA1 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

FP40R12KE3GBOSA1

Üretici
Infineon
Kılıf / Paket
Açıklama
IGBT MOD 1200V 55A 210W

FP40R12KE3GBOSA1 Hakkında

FP40R12KE3GBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 55A gücünde bir IGBT transistör modülüdür. Üç fazlı inverter konfigürasyonuyla tasarlanan bu komponent, Trench Field Stop teknolojisi kullanarak düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 210W maksimum güç kapasitesine sahip olan modül, -40°C ile 125°C arasında güvenli çalışma alanına sahiptir. Vce(on) değeri 2.3V (15V gerilim, 40A akımda) olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipinde monte edilir ve NTC thermistor içerir. Endüstriyel frekans dönüştürücüler, kaynak makineleri ve güç kontrol uygulamalarında kullanılır. Standart giriş kapasitansı 2.5nF'dir.

Ürün Özellikleri

15 özellik
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 55 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 210 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V