Görsel mevcut değil
FF900R12ME7PB11BPSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- MEDIUM POWER ECONO
FF900R12ME7PB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF900R12ME7PB11BPSA1, 900A maksimum akım ve 1200V breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmış Half Bridge IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak üretilen bu transistör, 1.8V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Verimli termal yönetim için chassis mount konfigürasyonuna sahiptir. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel kontrol sistemleri, frekans konvertörleri ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
900 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100 µA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
122 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Supplier Device Package
AG-ECONOD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 900A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V