Görsel mevcut değil
FF900R12IE4VPBOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 900A 20MW
FF900R12IE4VPBOSA1 Hakkında
FF900R12IE4VPBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/900A yüksek güç IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu Trench Field Stop tipi transistör, anahtarlama uygulamalarında yüksek akım kapasitesi ile çalışmak üzere geliştirilmiştir. 20mW maksimum güç derecelendirilmesi ile endüstriyel motor kontrolü, UPS sistemleri, kaynak makinaları ve güç dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılır. Chassis Mount şasiye monte edilmesi sağlanarak ısıl yönetim optimize edilmiştir. NTC Thermistor entegrasyonu ile sıcaklık koruması sunulmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 900A akımda 2.1V olup, 1200V collector-emitter dış gerilim kapasitesi bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
900 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
54 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
20 mW
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 900A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V