Görsel mevcut değil
FF650R17IE4DPB2BOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MODULE 1700V 650A
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Hakkında
FF650R17IE4DPB2BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güç IGBT modülüdür. 1700V kollektör-emitter kırılma voltajı ve 650A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak üretilen bu modül, 2 bağımsız konfigürasyonlu yapısı sayesinde uygulamalarda esneklik sağlar. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 2.45V'dur. Standart giriş tipi ve 54nF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir. Entegre NTC thermistor ile sıcaklık kontrolü sağlanmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Şasi montajı tipi chassis mount olup, Module paket formatındadır. Yüksek akım uygulamaları, endüstriyel sürücüler, güç dönüştürücüler ve enerji yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max)
650 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
54 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 650A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V