Görsel mevcut değil
FF200R12KT3HOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MODULE 1200V 1050W
FF200R12KT3HOSA1 Hakkında
FF200R12KT3HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 1050W güç kapasitesine sahip IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu modül, 2 bağımsız konfigürasyonda çalışır ve 200A collector akımı yeteneğine sahiptir. Vce(on) değeri 2.15V @ 15V, 200A koşullarında ölçülmüştür. Chassis mount tipi montaj ile sağlanan modül, -40°C ile 125°C arasında çalışır. 14 nF giriş kapasitansı (Cies @ 25V) ve 5 mA maksimum collector cutoff akımı ile karakterize edilir. Standart giriş kontrolü ile uyumlu olan bu modül, endüstriyel güç elektroniği uygulamaları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme sistemleri ve welding ekipmanlarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
2 Independent
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
1050 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V