Görsel mevcut değil
FF200R12KE4PHOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MODULE 1200V 200A
FF200R12KE4PHOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF200R12KE4PHOSA1, 1200V 200A kapasiteli Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, Vce(on) değeri 200A'de 2.15V olan düşük iletim kaybı özellikleri sunmaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışan modül, endüstriyel elektrik uygulamaları, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve güç çevirici sistemlerinde kullanılmaktadır. Chassis Mount tipi montajla sabit kurulum için tasarlanmış, 14 nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlamaktadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V