Görsel mevcut değil
FF200R12KE3B2HOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 295A 1050W
FF200R12KE3B2HOSA1 Hakkında
FF200R12KE3B2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/295A kapasiteli Half Bridge IGBT modülüdür. Chassis mount paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1050W güç kapasitesi ve 2.15V Vce(on) değeri ile yüksek verimlilik sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-40°C ~ 125°C) kullanılabilen modül, endüstriyel uygulamalar, solar inverters, motor kontrol sistemleri ve güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. NTC termistor özelliği içermez ve standart giriş konfigürasyonu ile tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
295 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
1050 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V