Görsel mevcut değil
FF100R12KS4HOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 150A 780W
FF100R12KS4HOSA1 Hakkında
FF100R12KS4HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/150A IGBT transistör modülüdür. 2 bağımsız yapılandırma ile tasarlanan bu komponent, maksimum 780W güç yönetimini destekler. Vce(on) değeri 3.7V @ 15V, 100A olup, collector emitter kırılma voltajı 1200V'dir. 650nF input kapasitanslı (Cies @ 25V) bu modül, -40°C ile +125°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Chassis mount montajı ile sağlanan FF100R12KS4HOSA1, endüstriyel sürücü uygulamaları, güç konvertertleri, inverter sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Module kasa tipinde tasarlanmış olan komponent, standart input kontrolü ile çalışır ve NTC termistor içermez.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
650 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
780 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V