Görsel mevcut değil
FD250R65KE3KNOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 6500V 250A 4800W
- Ürün Ailesi
- FD250R65KE3
FD250R65KE3KNOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FD250R65KE3KNOSA1, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modülüdür. 6500V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 250A maksimum kolektör akımı ile endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 4800W güç kapasitesi ile AC/DC konvertörler, inverterler, kaynak makineleri ve motor kontrol uygulamalarında etkin çalışır. Chassis mount montajı ile doğrudan soğutucu yüzeylere tutturulabilir. -50°C ile 125°C arasında çalışabilen bu modül, düşük Vce(on) değeri (3.4V @ 15V, 250A) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Single konfigürasyonu ile basit entegrasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Single
Current - Collector (Ic) (Max)
250 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
69 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-50°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
4800 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 250A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
6500 V
