Görsel mevcut değil
DF80R12W2H3FB11BPSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 20A 20MW
DF80R12W2H3FB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF80R12W2H3FB11BPSA1, 1200V 20A kapasiteli Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu modül, maksimum 20 mW güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 1.7V olarak belirlenmiştir. -40°C ile 150°C arasında çalışan modül, entegre NTC thermistor ile sıcaklık koruması sağlar. Giriş kapasitansi 2.35 nF @ 25V'dir. Chassis mount tipi casing ile endüstriyel uygulamalarda, AC/DC güç dönüştürücülerinde, motor kontrol sistemlerinde ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerde kullanılır. Standart giriş sinyaleriyle uyumlu tasarımı, kompleks güç elektronik sistemlerine entegre edilmesini kolaylaştırır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2.35 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
20 mW
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V