Görsel mevcut değil
DF200R12W1H3FB11BOMA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 30A 20MW
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF200R12W1H3FB11BOMA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V kollektör-emiter aralığında çalışan bu Trench Field Stop tipi transistör, 30A maksimum kolektör akımı ve 20mW güç dissipasyonu özelliklerine sahiptir. 1.45V on-state gerilimi ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Entegre NTC termistör ile sıcaklık izlenmesi yapılabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 150°C) endüstriyel uygulamalara uygunluğunu gösterir. Chassis mount konfigürasyonu ve modüler yapısı, güç dönüştürme sistemlerinde, frekans konvertörlerde ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.15 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
20 mW
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.45V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V