Görsel mevcut değil
DF200R12W1H3B27BOMA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 30A 375W
DF200R12W1H3B27BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF200R12W1H3B27BOMA1, 1200V ve 30A nominal akım kapasitesiyle tasarlanmış bir IGBT modülüdür. Maksimum 375W güç dağıtım kapasitesine sahip bu modül, 2 bağımsız konfigürasyonla çalışır. Vce(on) değeri 15V kapı gerilimi ve 30A akımda 1.3V olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipi monte edilen bu komponent, -40°C ile 150°C arasında güvenli şekilde işletilmektedir. Entegre NTC termistörü sayesinde sıcaklık koruması sağlar. Endüstriyel sürücü uygulamaları, motor kontrol sistemleri, kaynak cihazları ve güç elektronik dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V