Görsel mevcut değil
DF200R12KE3HOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MODULE 1200V 1040W
DF200R12KE3HOSA1 Hakkında
DF200R12KE3HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT modülüdür. Maksimum 1040W güç işleme kapasitesine sahip bu transistör modülü, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 200A akımda 2.15V olan bu bileşen, endüstriyel inverter, motor sürücü, kaynak makinaları ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. Chassis mount tipinde montaj imkanı sunar ve -40°C ile 125°C arasında çalışabilir. Input kapasitansi 14nF olup, standart IGBT gate sürücü entegrelerine uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Configuration
Single
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
1040 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V