Görsel mevcut değil
BSM75GB120DN2HOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 105A 625W
BSM75GB120DN2HOSA1 Hakkında
BSM75GB120DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış olup, 105A maksimum collector akımı ve 625W güç derecelendirmesine sahiptir. Vce(on) değeri 75A'de 3V olarak belirtilmiştir. Chassis mount tipi ile pannellere ve endüstriyel uygulamalara entegre edilebilir. NTC termistor içermez ve maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir. Standard giriş kapasitansına (5.5nF @ 25V) sahip bu modül, güç elektronikleri, motor sürücüleri, invertörler ve kaynak cihazları gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Last Time Buy statüsündedir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
105 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1.5 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
5.5 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
625 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V