Görsel mevcut değil
BSM50GD120DN2BPSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
BSM50GD120DN2BPSA1 Hakkında
BSM50GD120DN2BPSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Full Bridge konfigürasyonlu IGBT transistör modülüdür. 1200V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 72A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 350W maksimum güç kapasitesi, 3V Vce(on) değeri ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel kontrol, motor sürücü ve konverter uygulamalarına uygun bir çözümdür. AG-ECONO2A paket tipi ile chassis montajına destekler. Baskı devre kartlarında düşük güç dissipation gerektiren ve kompakt tasarım istenen devrelerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.3 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
350 W
Supplier Device Package
AG-ECONO2A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V