Görsel mevcut değil
BSM50GD120DN2BOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 72A 350W
BSM50GD120DN2BOSA1 Hakkında
BSM50GD120DN2BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Full Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 1200V kollektör-emitör gerilimi ve 72A maksimum akım kapasitesine sahip bu komponent, 350W güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gerilim ve 50A akımda maksimum 3V'dur. Chassis mount tipi montajla endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç dönüştürücülerde uygulanır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. Standard giriş konfigürasyonu ve 3.3 nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.3 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Market
Power - Max
350 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V