Görsel mevcut değil
BSM50GD120DLCBOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 85A 350W
BSM50GD120DLCBOSA1 Hakkında
BSM50GD120DLCBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış IGBT transistör modülüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 85A maksimum collector akımı ile güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 350W maksimum güç kapasitesi, -40°C ile 125°C işletme sıcaklık aralığı ve Chassis Mount konfigürasyonu ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda yer alır. Vce(on) değeri 2.6V @ 15V, 50A koşullarında ölçülmüştür. 3.3nF giriş kapasitansı ve düşük kolektör kesinti akımı (84µA) özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Cutoff (Max)
84 µA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.3 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Part Status
Market
Power - Max
350 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V