Görsel mevcut değil
BSM25GD120DN2BOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 35A 200W
BSM25GD120DN2BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSM25GD120DN2BOSA1, Full Bridge konfigürasyonunda IGBT transistör modülüdür. 1200V Collector-Emitter breakdown voltajı ve maksimum 35A Collector akımı ile çalışır. 200W maksimum güç derecelendirmesine sahip olan bu modül, 3V Vce(on) değeriyle 25A akımda 15V Vge voltajında çalışır. Chassis mount tipi montajla sabitlenen bu komponent, 150°C maksimum işletme sıcaklığında kullanılır. Standard input konfigürasyonu ve 1.65nF giriş kapasitansı (25V'de) özelliğindedir. Endüstriyel sürücü devreleri, elektrik motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanım alanı bulur. NTC termistor entegrasyonu bulunmamaktadır. Ürün yeni tasarımlara yönelik değildir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Cutoff (Max)
800 µA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1.65 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V