Görsel mevcut değil
BSM100GB170DN2HOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1700V 145A 1000W
BSM100GB170DN2HOSA1 Hakkında
BSM100GB170DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1700V/145A IGBT transistör modülüdür. Half-bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu komponent, maksimum 1000W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V/100A koşullarında 3.9V olan bu modül, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter tasarımlarında ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Chassi montajlı kasa tipi ile mekanik entegrasyonu basit olup, 150°C junctıon sıcaklığına kadar çalışabilmektedir. Input capacitance değeri 16nF (@25V) olup, standart input kontrol sinyalleri ile uyumludur.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
145 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
16 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Obsolete
Power - Max
1000 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V