Görsel mevcut değil
BSM100GB120DN2HOSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 150A 800W
BSM100GB120DN2HOSA1 Hakkında
BSM100GB120DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/150A kapasiteli IGBT güç transistör modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 800W maksimum güç yönetiminde kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 100A akımda 3V ile belirtilmiştir. Chassis mount tipi montaj seçeneği ile sunulan modül, standart input karakteristiğine sahip olup 6.5nF input kapasitansı (Cies @ 25V) gösterir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C (junction sıcaklığı) ve 2mA collector cutoff akımı özellikleriyle endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürme sistemlerinde ve motor kontrol devreleri için uygun bir çözümdür. Modül tipi paketlemesi ile kompakt entegrasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.5 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
800 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V