Görsel mevcut değil
2N5550RLRP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 140V 0.6A TO-92
2N5550RLRP Hakkında
2N5550RLRP, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paket içinde sunulan bu bileşen, 140V maksimum Vce breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz transition frequency ile sinyal amplifikasyon ve switching uygulamalarında kullanılabilir. Minimum 60 hFE DC current gain değeri ile sabit gain özellikleri sunar. 625mW maksimum güç tüketimi ile audio amplifikatörleri, genel amaçlı switching devreleri ve analog sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, arşiv ve restorasyon projeleri için kaynak olarak kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V