Görsel mevcut değil
2N5550TF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 140V 600MA TO92-3
2N5550TF Hakkında
2N5550TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paket içinde sağlanan bu komponent, 140V collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 300MHz transition frequency ve 60'lık minimum DC current gain (hFE) değerleri ile genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama devreleri için uygun özelliklere sahiptir. Maksimum 625mW güç tüketimi ile, ses frekansı ve düşük frekans RF uygulamalarında tercih edilen bir tasarımdır. Through-hole montajı ile klasik PCB tasarımlarına entegrasyonu basittir. 150°C maksimum junksiyon sıcaklığı, sıcak ortam uygulamalarına dayanıklılık sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V