Görsel mevcut değil
2N5550/D26Z
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N5550/D26Z Hakkında
2N5550/D26Z, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 600mA maksimum kollektör akımı ve 140V kesme voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 300MHz transition frequency ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 625mW maksimum güç değerlendirmesi ve 60 (minimum) DC akım kazancı ile, frekans kompanzasyonu gerektirmeyen basit elektronik devrelerde tercih edilir. Düşük kolektör-emitter doyum voltajı (250mV) ile enerji verimli çalışır. TTL/CMOS lojik devreleri, audio amplifikatörleri, motor kontrol devrelerinde sıklıkla uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V