Görsel mevcut değil
2N5550
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- HIV AMP
2N5550 Hakkında
2N5550, NTE Electronics tarafından üretilen NPN silisyum BJT transistördür. Genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 600mA maksimum collector akımı ve 140V breakdown voltajı ile orta güç seviyesinde çalışabilir. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, 625mW maksimum güç tüketimi ile sınırlanmıştır. TO-92 Through Hole paketinde sunulan 2N5550, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, anahtarlama devreleri ve genel sinyal amplifikasyonunda yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V