Görsel mevcut değil
2N5550BU
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 140V 0.6A TO-92
2N5550BU Hakkında
2N5550BU, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlü (BJT) tekil komponent olup TO-92 paketinde gelmektedir. 140V breakdown voltajı, 600mA maksimum collector akımı ve 625mW güç kapasitesi ile orta seviye uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, 10mA collector akımında minimum 60 DC current gain sağlamaktadır. Vce saturation voltajı 250mV'dir. Through hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenmesi mümkündür. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Ses amplifikatörleri, düşük sinyal uygulamaları, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılmaktadır. Bileşen halen üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V